積層型バリスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164183
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335115
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】積層型バリスタの粒界数を均一にすると共にセラミック粒子の異常成長を防止し、漏れ電流の低減や制限電圧の改善等により電気的特性を向上させる。【構成】ガラス基板1の上に、スパッタ法による複数層の内部電極2a,2bとCVD法による複数層の半導体セラミック層3とからなるセラミック-金属積層体4を形成する。この後、ディッピング等によって積層体4の両端に外部電極5a,5bを形成し、積層型バリスタBを得る。

請求項（抜粋）：

複数の半導体セラミック層と内部電極を積層してなる積層型バリスタにおいて、少なくとも内部電極で挟まれた半導体セラミック層をCVD法により形成したことを特徴とする積層型バリスタ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特公昭58-023921
特開昭59-107507

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