特許
J-GLOBAL ID：200903039664545429
液晶表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010753
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214694
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 ポリシリコンを活性層とするトランジスタの電気的特性のばらつきを少なくした液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板1上にSiO2膜と窒化シリコン膜からなるバリア層2を形成した後、nチャネル型TFTのしきい値電圧に応じた量の不純物を添加してCVDを行い、アモルファスシリコン層3を形成する。次に、基板上面に窒化シリコン膜を形成して基板上面の研磨とパターンニングを行った後、pチャネル型TFTのしきい値電圧に応じた量の不純物を添加してCVDを行い、アモルファスシリコン層5を形成し、アモルファスシリコン層5が露出まで研磨する。次に、レーザアニーリングにより、アモルファスシリコン層3,5を結晶化してポリシリコン層6,7を形成し、これらの層6,7を活性層としてTFTを形成する。TFTのチャネル領域をCVDで形成するため、TFTのしきい値変動が少なくなる。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン層を活性層とするトランジスタを有する液晶表示装置の製造方法において、絶縁基板上に所定導電型の不純物を含む第1のアモルファスシリコン層を形成する第1の工程と、前記第1のアモルファスシリコン層を所定形状にパターンニングする第2の工程と、前記第1のアモルファスシリコン層を覆うように基板上面に絶縁膜を成膜する第3の工程と、前記第1のアモルファスシリコン層が上面に露出されるまで基板上面を平坦化する第4の工程と、前記第2の工程により残された前記絶縁膜の所定領域を除去する第5の工程と、基板上面に所定導電型の不純物を含む第2のアモルファスシリコン層を成膜する第6の工程と、前記第1のアモルファスシリコン層が上面に露出するまで基板上面を平坦化する第7の工程と、前記第1のアモルファスシリコン層を結晶化させて第1の多結晶シリコン層を形成し、かつ、前記第2のアモルファスシリコン層を結晶化させて第2の多結晶シリコン層を形成する第8の工程と、基板上面にゲート絶縁膜を形成する第9の工程と、前記第1および第2の多結晶シリコン層上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第10の工程と、前記第1および第2の多結晶シリコン層に不純物イオンを注入して、ソース領域およびドレイン領域を形成する第11の工程と、を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 627 G
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 M
, H01L 29/78 627 A
