特許

J-GLOBAL ID：200903039666411799

イオンビーム照射によるキク科植物の突然変異育種法

発明者： 永吉 実孝 ,  上野 敬一郎 ,  田中 淳 ,  長谷 純宏
出願人/特許権者： 鹿児島県 ,  日本原子力研究所
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  深澤 憲広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-119039
公開番号（公開出願番号）：特開2004-321057
出願日： 2003年04月23日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】本発明においては、したがって、従来から使用されている品種の基本的な特性を変えることなく、キク科植物個体において側枝数を減少させて、摘蕾・摘芽作業に割かれていた多くの労力を低減することを課題とする。【解決手段】本発明は、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を提供する。本発明はまた、キク科植物個体由来の植物組織片または植物細胞に対して放射線(イオンビームなど)を照射し、その放射線照射された植物組織片または植物細胞を培養した後に順化・育苗して挿し穂を形成し、その挿し穂を生長させることにより個体を育成し、さらに育成されたキク科植物個体の中から無側枝性または少側枝性の形質を有する個体を選抜することにより、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を生産する方法を提供する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

無側枝性または少側枝性キク科植物個体。

IPC (1件)：

A01H5/00

FI (1件)：

A01H5/00 Z

Fターム (6件)：

2B030AA02 ,  2B030AB03 ,  2B030AD14 ,  2B030AD20 ,  2B030CA10 ,  2B030CB00