特許
J-GLOBAL ID：200903039668225070
半導体発光素子および光散乱基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-297666
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109793
出願日： 2005年10月12日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】より光抽出効率を向上させることの可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光波長に対して透明な光散乱基板12上に発光部30を備え、発光部30で発生した光を光散乱基板12側から射出する。光散乱基板12は基板10(サファイア基板)の上に突状の複数の光散乱部11を有している。光散乱部11は、例えばSiO2 (酸化シリコン)からなる媒質部分13の内部に例えばSi(シリコン)からなる多数の散乱粒子14を分散したものである。発光光は、光散乱部11の斜面で屈折したり、光散乱部11の内部の散乱粒子14により散乱されて臨界角未満の角度に変化する。これにより光抽出効率が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光波長に対して透明な基板、および前記基板の表面に設けられると共に内部に複数の光散乱粒子が分散された突状の1または複数の光散乱部を有する光散乱基板と、
前記光散乱基板上に設けられると共に活性層を含み、前記活性層からの発光光を前記基板側に導く発光部と
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA12
, 5F041AA47
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CB27
