特許
J-GLOBAL ID：200903039670356450
半導体基板の平坦化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037627
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252113
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】基板より十分に小さい単数又は複数の研磨ヘッドを備えた研磨装置により、凹凸パターンを形成した基板上に堆積した膜の膜厚を常にモニターしながら前記膜を研磨し、基板表面を平坦化する。【構成】自転する基板保持ターンテーブル13上に、凹凸パターンを形成後膜堆積を行ったシリコン基板11を主面を上にして接着した後、自転する研磨ヘッド12を圧接させながら、その半径方向に移動させて前記主面を研磨する。研磨中、膜厚検出装置の検出ヘッド部14は、基板上で常に研磨ヘッドと同一の円周上に位置するように制御されているため、円周上の平均の膜厚は常に膜厚測定装置によってモニターされている。膜厚データはコンピュータに送られ、それをもとに研磨ヘッドの位置、及び研磨ヘッドによる研磨量を制御しながら、基板の外周部から中心部、もしくは基板の中心部から外周部に向かって研磨を進める。
請求項（抜粋）：
凸凹パターンを形成した基板表面に膜を堆積した後,前記膜の膜厚を常に検出しながら、前記基板より小さい研磨ヘッドをもった研磨装置により、回転する前記基板上の前記膜を研磨し、前記基板表面を平坦化することを特徴とする半導体基板の平坦化方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/04
, G01B 11/06
, H01L 21/66
