特許
J-GLOBAL ID：200903039672240700
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324272
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160275
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 金属配線膜の接続孔におけるカバレジの劣化を防止して、層間絶縁膜表面の平坦度の高い半導体装置を得る。【構成】 半導体基板1上に層間絶縁膜6を成膜した後に、層間絶縁膜6上の全面に塗布絶縁膜9を塗布焼成し、その後全面エッチバックを行って塗布絶縁膜9を完全に除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を形成してリフローする工程と、上記層間絶縁膜上の全面に塗布絶縁膜を塗布焼成する工程と、その後上記塗布絶縁膜が完全に除去されるまでエッチバックを行う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 21/28
