強誘電体素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-078330
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288033
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】製造プロセス時間の短縮化、デバイスの小型高感度化が可能であり、かつ安価な強誘電体素子およびその製造方法を供給する。【構成】基板11上に下地電極13が空隙層10を覆って形成され、下地電極13上に強誘電体14が、強誘電体14と下地電極13を覆うように樹脂層15が形成され、上部電極16が樹脂層15上に形成され、空隙層よりも面積が小さい強誘電体14が空隙層10の概ね中央に設けられており、基板上に、犠牲層12、下地電極13、強誘電体14、樹脂層15、上部電極16を順次形成したのち、犠牲層12をウエットエッチング除去して、空隙層10を基板11と下地電極13の間に形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、空隙層と、上面から投影した面積が前記空隙層よりも小さい強誘電体と、前記強誘電体の両面に設けた上部電極と下地電極を備え、前記基板上に、前記下地電極が前記空隙層を覆って形成され、前記下地電極上に前記強誘電体が形成され、前記強誘電体が前記空隙層の概ね中央に設けられていることを特徴とする強誘電体素子。

IPC (5件)：

H01B 3/00 , C01G 23/00 , C01G 25/00 , C04B 41/91 , C23F 1/00

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-244168
特開平2-188962
特開昭62-211520

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