不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032757
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200891
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】書込み及び消去をファウラー・ノルトハイムトンネル電流を用いて行なうフラッシュメモリにおいて、多値記憶の読出し及び書込みを実現する。【解決手段】メモリセルM11〜Mmnは、m個毎にソース及びドレインが各々共通接続される。B1〜Bnはm個毎のメモリセルのビット線、W1〜Wmはワード線、WD1〜WDmはワードドライバである。このワードドライバの読出し用及び検証用の電源として複数の電圧を発生できるワード線電圧発生回路VWG1を設けた。ワード線電圧発生回路VWG2は書込み用電源で、接地電圧及び負電圧を発生する。多値記憶の隣合う記録レベル(しきい値)に相当するデータ間のハミング距離を1とすることにより、誤り訂正の回路構成が容易になる。【効果】検証動作時及び読出し動作時の複数のワード線電圧によって、多値データのメモリセルへの書込み及び多値データの読出しができる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートを有するメモリセルを複数有するメモリセルアレイと、第1の書込み動作と上記第1の書込み動作の後に実行される第2の書込み動作を実行する書込み回路とを有し、上記メモリセルのしきい値電圧は、そのフローティングゲートに注入された電荷量に依存して、上記メモリセルに少なくとも3値の情報を記憶するため、消去状態、第2状態、上記消去状態と上記第2状態との間に位置する第1状態のうちのいずれかの値をとり、上記第1の書込み動作においては、情報を書き込むためにそのしきい値電圧を遷移させるメモリセルに対して複数のパルスを印加し、上記複数のパルスには第1の開始パルスと第1の終了パルスとを含み、その振幅は上記第1の書込み動作期間中増大し、上記第2の書込み動作においては、第2の開始パルスと第2の終了パルスとを含む複数のパルスを印加し、その振幅は上記第2の書込み動作期間中増大し、上記第1の終了パルスの振幅は上記第1の開始パルスの振幅よりも大きく、上記第2の終了パルスの振幅は上記第2の開始パルスの振幅よりも大きく、上記第1の終了パルスは上記第2の開始パルスよりも大きいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 , G11C 16/06 , G11C 16/02 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 633 D , G11C 17/00 641 , H01L 29/78 371

前のページに戻る