特許
J-GLOBAL ID：200903039685002620
誘電体導波管線路と高周波線路導体との接続構造
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052508
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252712
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 誘電体導波管線路に形成したスロット孔のみによる電磁結合では、様々な特性インピーダンスの高周波線路導体と良好な特性で接続できない。【解決手段】 誘電体基板1を挟持する主導体層2・3と、2列の側壁用貫通導体群4と、主導体層2・3と平行な副導体層5とを具備してなる誘電体導波管線路6に対して、スロット孔7に対向配置した高周波線路導体8を電磁結合させるとともに、誘電体導波管線路6のスロット孔7から伝送方向に管内波長の略2分の1のn倍の位置に端面用貫通導体群9と端面用副導体層10とによる短絡端を形成し、かつ主導体層3から管内波長の4分の1未満の高さに短絡端からスロット孔7の下部に至る内部導体層11を形成した接続構造である。短絡端と内部導体層11とで接続部の特性インピーダンスを整合させることができ、反射を抑えて良好な特性の接続構造とすることができる。
請求項（抜粋）：
誘電体基板を挟持する一対の主導体層と、該主導体層間を高周波信号の伝送方向に信号波長の2分の1未満の繰り返し間隔および所定の幅で電気的に接続する2列の側壁用貫通導体群と、前記主導体層間に平行に形成され、前記側壁用貫通導体群をそれぞれ電気的に接続する一対の副導体層と、前記主導体層の一方に形成したスロット孔と、該スロット孔から前記伝送方向に管内波長の略2分の1のn倍(nは自然数)の位置において前記主導体層間を前記幅方向に前記信号波長の2分の1未満の繰り返し間隔で電気的に接続する端面用貫通導体群と、該端面用貫通導体群および前記一対の副導体層と電気的に接続された端面用副導体層と、前記端面用貫通導体群に電気的に接続され、前記主導体層の他方から前記管内波長の4分の1未満の高さの位置に平行に前記スロット孔の下部まで形成された内部導体層とを具備して成る誘電体導波管線路に、前記スロット孔に対向配置した高周波線路導体を電磁結合させたことを特徴とする誘電体導波管線路と高周波線路導体との接続構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
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