特許
J-GLOBAL ID：200903039685764589
磁歪素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-351481
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198863
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 永久磁石によりバイアス磁界を印加する構成の磁歪素子において、磁歪材内における磁化分布の均一性を向上させる。【構成】 磁歪材Sの外側に、空隙を挟んで磁石M1 を設け、磁石M1 により磁歪材Sにバイアス磁界を印加すると共に磁歪材Sの磁化分布を改善し、磁化の均一化をはかる。
請求項（抜粋）：
希土類金属元素と鉄とを含有する柱状または筒状の磁歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材と同軸的に配置された筒状の磁石と、軟磁性ヨークとを有し、前記磁歪材、前記磁石および前記軟磁性ヨークが閉磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪材との間に空隙が存在することを特徴とする磁歪素子。
IPC (3件)：
H01L 41/12
, G01D 5/14
, H01L 41/20
