特許

J-GLOBAL ID：200903039692688960

半導体装置の製造方法

発明者： 秋庭 波里 ,  門村 新吾 ,  辰巳 哲也 ,  佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307331
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132405
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 表面に反射防止膜を有する配線材料層上で層間絶縁膜をドライエッチングして接続孔を形成する際に、配線材料層のスパッタ再付着を防止する。【構成】 Al-1%Si層1上にTiONからなる反射防止膜2を介して積層されたSiO2 層間絶縁膜3を、CF4 /S2 F2 混合ガスでエッチングする。反射防止膜2が露出すると、この面から供給されるN原子にS2 F2 から放出されたS原子が結合してポリチアジル(SN)x 等の窒化イオウ系化合物が生成し、エッチングが停止する。ウェハを加熱して窒化イオウ系化合物を分解除去した後、反射防止膜2をCl2 ガスを用いてエッチングすると、Al-1%Si層1のスパッタ再付着が防止できる。さらにCF4 ガスを用いたプラズマ処理により残留塩素をフッ素原子に置換すれば、アフターコロージョンが防止できる。

請求項（抜粋）：

配線材料層の上に窒素原子を含む反射防止膜を介して層間絶縁膜を積層する工程と、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウとフッ素系化学種とを生成させ得る組成のエッチング・ガスを用いて前記層間絶縁膜を選択的にエッチングして接続孔を開口し、前記反射防止膜の露出面上に窒化イオウ系化合物を堆積させる工程と、前記窒化イオウ系化合物を除去する工程と、前記反射防止膜の露出部を選択的にエッチングして前記接続孔を完成させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302