特許
J-GLOBAL ID：200903039701291963
窒化けい素メタライズ基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-336218
公開番号（公開出願番号）：特開平6-183864
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：
【要約】【目的】高放熱性および高接合強度を有し、半導体モジュール用部品として好適な窒化けい素メタライズ基板を提供する。【構成】熱伝導率が60〜180W/m・Kである窒化けい素基板表面に、モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と活性金属窒化物とから成るメタライズ層を一体に形成したことを特徴とする。またモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方に対する活性金属窒化物の重量比を1.5〜2.5に設定したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
熱伝導率が60〜180W/m・Kである窒化けい素基板表面に、モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と活性金属窒化物とから成るメタライズ層を一体に形成したことを特徴とする窒化けい素メタライズ基板。
IPC (3件)：
C04B 41/88
, C04B 35/58 102
, C04B 41/87
