特許
J-GLOBAL ID：200903039702257882
MOS型増幅撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011445
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261896
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】MOS 型増幅撮像素子に別途の駆動回路を追加せず、各ピクセルのMOS 型増幅撮像素子の光蓄積シャッター時間を相互に一致させて同一時間に設定できるMOS 型増幅撮像素子を提供する。【解決手段】電子を蓄積するフォトダイオードPD、電子を排出するNMOSトランジスタNM41、電子を流動拡散層FDに伝送するNMOSトランジスタNM42、前記流動拡散層FDを初期化するNMOSトランジスタNM43、前記流動拡散層FDから伝送された電子を受けて電圧変動値として表される信号を増幅するNMOSトランジスタNM44、ロー選択信号によりスイッチングされるロー選択スイッチとしての機能を有するNMOSトランジスタNM45と、を備えた二重リセット構造のMOS 型増幅撮像素子を構成する。
請求項（抜粋）：
光を受けて電子を蓄積するフォトダイオードと、該フォトダイオードに残留する電子及び過剰蓄積された電子を排出して初期化する第1リセットスイッチと、前記フォトダイオードに蓄積された電子を流動拡散層に伝送する伝送手段と、前記流動拡散層に残留する電子を排出して初期化する第2リセットスイッチと、前記流動拡散層から伝送された電子を受けて電圧変動値として表される信号を増幅する信号増幅手段と、前記信号増幅手段により増幅された信号に応じた出力信号を所定のタイミングで出力させるスイッチング手段と、を備えて構成されることを特徴とするMOS 型増幅撮像素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H04N 5/335 E
, H04N 5/335 Q
, H01L 27/14 A
