特許

J-GLOBAL ID：200903039702635305

半導体発光装置

発明者： 小屋 賢一 ,  井上 登美男 ,  内 義文
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021798
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220176
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 ツェナーダイオードを静電気保護素子として発光素子と複合素子化したアセンブリの半導体発光装置において、保護機能及び動作電圧の両方を最適化することによって耐久性の向上及び消費電力の削減を図る。【解決手段】 静電気保護用のツェナーダイオード6とフリップチップ型の発光素子1とを複合素子化してリードフレーム10等に搭載する発光装置において、ツェナーダイオード6のSi基板のキャリア濃度を2×1018cm-3〜1×1019cm-3の範囲とし、ツェナーダイオードの動作電圧の低減と半導体発光素子の静電気保護に必要なツェナー電圧Vzを確保することにより、消費電力の低下及び半導体発光素子の破壊防止を図る。

請求項（抜粋）：

静電気保護用のSiダイオードをリードフレームまたは基板等の基材の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記Siダイオードに搭載してp側及びn側が逆極性となるよう導通接続し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、前記SiダイオードのSi基板のキャリア濃度を2×1018cm-3〜1×1019cm-3の範囲としてなる半導体発光装置。