特許
J-GLOBAL ID：200903039705376882
半導体基板用シリコンウェハの原子空孔分布評価法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-271711
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111444
出願日： 1994年10月11日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】単結晶シリコンウェハに第1および第2熱処理を施して格子欠陥を形成し、さらにエッチング処理を施して格子欠陥をエッチピットとして顕在化させることにより、シリコンウェハの面内における原子空孔の濃度分布の均一性を迅速かつ高精度に評価することができる半導体基板用シリコンウェハの原子空孔分布評価法の提供。【構成】シリコンウェハの原子空孔の濃度を評価するに際し、このシリコンウェハに、700°C以上かつ850°C以下の温度で第1熱処理を施し、850°C超かつ1050°C以下の温度で第2熱処理を施して格子欠陥を形成した後、この格子欠陥をエッチピットとして顕在化させて、単位面積当たりのエッチピットの個数を測定し、このエッチピットの個数により、前記シリコンウェハの原子空孔の濃度を評価することにより、上記目的を達成する。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハの原子空孔の濃度を評価するに際し、このシリコンウェハに、700°C以上かつ850°C以下の温度で第1熱処理を施し、850°C超かつ1050°C以下の温度で第2熱処理を施して格子欠陥を形成した後、この格子欠陥をエッチピットとして顕在化させて、単位面積当たりのエッチピットの個数を測定し、このエッチピットの個数により、前記シリコンウェハの原子空孔の濃度を評価することを特徴とする半導体基板用シリコンウェハの原子空孔分布評価法。
IPC (2件)：
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