特許
J-GLOBAL ID：200903039707387334

半導体装置及びその製造方法

発明者：
中 嶋 一 明

中 嶋 一 明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-154406
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340336
出願日： 2004年05月25日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 シリサイド化されたゲート電極及び拡散層上にコンタクト開口する際に、ゲート電極及び拡散層に損傷を与えることなく開口することを実現する。【解決手段】 シリコン基板100上において金属シリサイドにより形成されたゲート電極111、シリコン基板100の表面部分においてチャネル領域の両端に位置するように形成され、表面にシリサイド膜108が形成された拡散層107、拡散層107のシリサイド膜108上に形成された絶縁膜109及び114と、ゲート電極111上に形成された絶縁膜114とを備え、拡散層108上の絶縁膜109及び114がゲート電極111上の絶縁膜114より膜厚が厚く形成されている。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
基板上に、ゲート絶縁膜を介して、シリコンを含む材料を用いて複数のゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極及び前記基板上に絶縁材料を堆積してエッチバックを行い、前記基板の表面が露出し、前記ゲート電極の表面を覆うように第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート電極及び前記第1の絶縁膜をマスクとして不純物をイオン注入し、前記基板の表面部分に選択的に拡散層を形成する工程と、 少なくとも前記基板上に第1の金属膜を形成し、熱処理を行って前記基板と前記第1の金属膜とを反応させて、前記拡散層の表面部分にシリサイド膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜で覆われた前記ゲート電極上及び前記基板上を覆うように、第2の絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の絶縁膜上に、層間絶縁膜としての第3の絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート電極の上面が露出する高さまで、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜とを平坦化する工程と、 前記第2の絶縁膜に対して所定の選択比を有するように前記第3の絶縁膜を除去する工程と、 少なくとも前記ゲート電極上に第2の金属膜を形成し、熱処理を行って前記ゲート電極と前記第2の金属膜とを反応させて、前記ゲート電極の材料を金属シリサイドに変換する工程と、 前記ゲート電極上及び前記第2の絶縁膜上を覆うように、第4の絶縁膜を形成する工程と、 前記第4の絶縁膜上に、層間絶縁膜としての第5の絶縁膜を形成する工程と、 前記第5の絶縁膜を平坦化する工程と、 前記第4の絶縁膜に対して所定の選択比を有するように、前記第5の絶縁膜を所望のコンタクトパターン形状に加工する工程と、 前記第5の絶縁膜における前記コンタクトパターンの底面に存在する前記第4の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを選択的に除去する工程と、 前記第5の絶縁膜における前記コンタクトパターンを導電性を有する材料で埋め込み、コンタクトを形成する工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78
FI (6件)：
H01L29/78 301P ,  H01L21/28 L ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/90 A ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/08 102D
Fターム (121件)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD56 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033LL04 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN08 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX19 ,  5F033XX20 ,  5F048AA07 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA13 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF19 ,  5F140BF31 ,  5F140BF38 ,  5F140BF60 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG19 ,  5F140BG22 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CC01 ,  5F140CC08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04 ,  5F140CF05
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-300780   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-163929   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-012119   出願人：日本電気株式会社
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審査官引用 (4件)
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