特許
J-GLOBAL ID：200903039708725365
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-191583
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055835
出願日： 1994年08月15日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 シリコン層と酸化シリコン層の多層積層膜を、エッチングガスを切り替えることなく、同一のエッチング装置内で連続的にプラズマエッチングする。【構成】 プラズマと基板ステージとの距離が可変の高密度プラズマエッチング装置を用いるとともに、CF系/H2 混合ガスまたはCHF系ガスをエッチングガスに用いる。酸化シリコン層4、5、6のエッチング時はこの距離を広げ、シリコン層、例えば多結晶シリコン配線7、8のエッチング時は距離を狭めてエッチングする。【効果】 プラズマと基板ステージの距離が近い場合は、エッチングガスの解離生成物HFが再解離して、被エッチング基板近傍のFラジカル濃度を高める。このため上記ガス系によりシリコン層のエッチングが可能となる。他のエッチング条件を変更することなく、基板ステージの昇降等のみで、多層積層膜のエッチングができるので、サイドウォールコンタクト加工等のスループットが向上する。
請求項（抜粋）：
1×1011/cm3 以上1×1014/cm3 未満のプラズマ密度が得られるプラズマ発生源により、基板ステージ上の被エッチング基板をエッチングするプラズマエッチング装置であって、前記プラズマ発生源におけるプラズマと、前記被エッチング基板間の距離を可変とする手段を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 F
