特許
J-GLOBAL ID：200903039710753414
スパツタリングターゲツト
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179207
公開番号（公開出願番号）：特開平5-005177
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】クロムとシリコンと酸素からなる高比抵抗の薄膜を長期にわたって安定かつ安価に形成することのできるスパッタリングターゲットを提供する。【構成】クロムと二酸化珪素の粉末の粒度を選別し、充分に加熱乾燥した後、50〜80重量%のクロム,残部が二酸化珪素の比率となるよう混合し、型に詰めて熱間プレス等により焼結する。これにより、2相混合組織を有するスパッタリングターゲットを得る。【効果】均質かつ長時間の放電に耐えることのできるターゲットにより、広い面積に均質なCr-Si-O薄膜を再現性良く得ることができる。
請求項（抜粋）：
金属クロム(Cr)と二酸化珪素(SiO2)の混合比が20〜80重量%クロム(Cr)、望ましくは50〜80重量%Crであり,残部が二酸化珪素(SiO2)からなる焼結一体物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
