特許
J-GLOBAL ID：200903039712389515
シリコンクラスレート化合物とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296342
公開番号（公開出願番号）：特開2001-114508
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：
【要約】【課題】 電子をドープしたn型シリコンクラスレートだけでなく、正孔(ホール)ドープによるp型シリコンクラスレート化合物の合成を行ったシリコンクラスレート化合物とその製造方法を提供する。【解決手段】 電子吸引性の高いハロゲン原子を内包するシリコンクラスレート化合物の製造に成功した。金属原子を内包し、電子をドープした従来からのn型シリコンクラスレート化合物に比較して、正孔(ホール)ドープによるp型シリコンクラスレート化合物の合成が可能となった。
請求項（抜粋）：
化学組成式がXm Sin で表されるシリコンクラスレート化合物において、Xがハロゲンであり、mが1〜12、nが40〜46であることを特徴とするシリコンクラスレート化合物。
Fターム (18件)：
4G072AA08
, 4G072AA11
, 4G072AA15
, 4G072AA16
, 4G072BB01
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072HH05
, 4G072HH07
, 4G072HH10
, 4G072HH11
, 4G072JJ04
, 4G072MM01
, 4G072RR13
, 4G072RR20
, 4G072RR30
, 4G072UU01
