特許

J-GLOBAL ID：200903039719682889

半導体集積回路の製造方法および設計方法ならびに半導体集積回路

発明者： 矢野 貴之
出願人/特許権者： エヌイーシーマイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219563
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031677
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路において発生するアンテナ効果による素子破壊を、設計時における設計工数の増加及びチップ面積の増加を行わずに対応する方法を提供する。【解決手段】バリアメタル8上に蓄積される電荷9を、ダミーパターン120を通してシリコン基板1へ放出する。これにより、アンテナ効果による回路素子としてのトランジスタ10破壊を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に回路素子とダミーパターンが形成された後、表面に電荷が蓄積される工程を有する半導体集積回路の製造方法において、前記工程において蓄積された電荷を前記ダミーパターンを通して前記半導体基板に放出することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088

FI (4件)：

H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/04 H ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/08 102 C

Fターム (26件)：

5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033VV01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX05 ,  5F038AV06 ,  5F038BH01 ,  5F038BH03 ,  5F038BH11 ,  5F038CA18 ,  5F038CD10 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BG00 ,  5F048BG11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置,その製造方法及び半導体装置形成用積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-129593   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-197087   出願人：日本電気株式会社