特許
J-GLOBAL ID：200903039727574440
磁気抵抗を用いた磁界センサとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-584902
公開番号（公開出願番号）：特表2003-533895
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2003年11月11日
要約：
【要約】本発明は磁界の検出および測定のために物理的現象として磁気抵抗を用いる磁界センサに関する。該センサは、第1の強磁性層(101)、絶縁層(103)、第2の強磁性層(102)および反強磁性層(104)を有する積層構造を製造することにより成る。2つの強磁性層は、交差した磁気異方性を呈し、絶縁層とともにトンネル接合を形成する。第1の層の異方性は、この層の下に位置し、該層とはわずかな方位差を有する基板の形状エネルギーから得られる。第2の層の異方性は反強磁性層の作用によって得られる。センサを配設する測定対象である磁界はトンネル接合の特性を変え、ゆえに、磁性層が電源から供給されるとき、該接合を流れる電流を、他のシステムと比較して大幅に変えることがでできる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗を利用する磁界センサであって、第1の方向(301)に沿った第1の磁気異方性を有する第1の強磁性層(101)と、第2の方向(302)に沿った第2の磁気異方性を有する第2の強磁性層(102)と、前記2つの強磁性層を分離し、これら2つの強磁性層の間にトンネル接合の形成を可能にする厚さを有する絶縁層(103)とを備えることを特徴とするセンサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 A
, H01L 43/12
