特許

J-GLOBAL ID：200903039735612874

半導体レーザ

発明者： 荒木 壮一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140165
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308173
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 出力レーザ光の偏光を制御した垂直共振器型半導体レーザを得る。【構成】 GaAs基板1上にn型の不純物添加されたGaAs/AlAsの多層膜とGaAs/AlAsの量子細線周期構造よりなる第1の反射ミラー層2、n型に不純物添加されたAlGaAsよりなる第1の閉じ込め層3、不純物添加されていないInGaAsを不純物添加されていないAlGaAsで挟んだ活性層4、p型に不純物添加されたAlGaAsよりなる第2の閉じ込め層5、p型に不純物添加されたGaAsとAlAsの多層膜とAu金属電極と両者の間に形成されたGaAsキャップ層よりなる第2の反射ミラー層6を形成する。第1の反射ミラー層2の量子細線構造は反射率に偏光依存性を持っている。第1の反射ミラー層および第2の反射ミラー層6によって形成される共振器の共振波長と第1の反射ミラー層2の偏光異存性が大きい波長を合わせることによって垂直共振器型半導体レーザの偏光方向を制御できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の反射ミラー層、活性層および第2の反射ミラー層を順次に積層して構成した垂直共振器型の半導体レーザであって、前記第1の反射ミラー層および前記第2の反射ミラー層のうちの少なくとも一方が第1の禁制帯幅の半導体細線と前記第1の禁制帯幅より広い第2の禁制帯幅を持つ半導体細線とからなる周期構造と半導体多層膜を有し、前記周期構造が面内方向において量子効果を生ずる程度の周期を持つことを特徴とする半導体レーザ。