特許

J-GLOBAL ID：200903039742213446

半導体保護装置

発明者： 田島 豊
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210240
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066405
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、サージによるMOSFETのゲート絶縁膜の破壊を防止することを目的とする。【構成】 ドレイン領域103が被保護半導体装置の入力端子又は出力端子14の何れかに接続されたMOSFET110が形成されている基板領域100内におけるドレイン領域103近傍部分の電位を検出する第1の手段104と、検出された電位の変動をMOSFET110のゲート電極106にフィードバックする第2の手段115とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域が被保護半導体装置の入力端子又は出力端子の何れかに接続されたMOSFETを有する半導体保護装置において、前記MOSFETが形成されている基板領域内における前記ドレイン領域近傍部分の電位を検出する第1の手段と、該第1の手段で検出された電位の変動を前記MOSFETのゲート電極にフィードバックして当該ゲート電極と前記ドレイン領域間の電界を緩和する第2の手段とを有することを特徴とする半導体保護装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/08 102 F