特許
J-GLOBAL ID：200903039742343919
半導体加速度センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344152
公開番号（公開出願番号）：特開平6-194377
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 温度ドリフトが小さく、自動ダイボンディング時に可撓部の破損を回避できる半導体加速度センサを得る。【構成】 半導体チップ1は、作用部1c、可撓部1b及び固定部1aにより構成されており、作用部1c上には重錘体2bが接合され、固定部1a上には台座2aが接合されている。また、可撓部1bには感歪抵抗が設けられている。この半導体チップ1は、単結晶シリコンからなり可撓部1bに対応する凹部3aが設けられた底板3を介してパッケージ10に搭載されている。
請求項（抜粋）：
作用部、この作用部の周囲に配設されその表面に感歪素子が形成された可撓部及びこの可撓部を支持する固定部を備えた半導体チップと、その上面に前記可撓部に対応する凹部を備え前記半導体チップとパッケージとの間に配設された底板と、前記作用部上に接合された重錘体と、前記固定部上に接合され前記重錘体の移動範囲を規制する台座とを有することを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (4件)：
G01P 15/02
, G01P 15/12
, G01P 21/00
, H01L 29/84
