特許

J-GLOBAL ID：200903039743812424

固体撮像素子

発明者： 兼田 修
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-319783
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176715
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 信号読み出し時間を短縮し高速駆動が可能であり、かつ、暗電流を低減した固体撮像素子を得ることを目的とする。【構成】 フォトダイオード1の中央部分にストライプ状のn+ 領域5が形成されている。n+ 領域5の一端はTG2に近接し、終端はフォトダイオード1内にある。CCDチャネル3に沿って複数のCCDゲート電極4が配置されている。フォトダイオード1とCCDゲート電極4の間には電荷転送のためのトランスファーゲート電極2が配置されている。【効果】 信号電荷転送後も第1半導体層に形成される深いポテンシャル井戸には電荷が残留するので、時定数の増加が抑制されて、信号電荷の読み出しに費やす時間が削減される。また、第3半導体層により暗電流による信号雑音が低減されるので、低雑音かつ高速駆動可能な固体撮像素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面内に形成された光電変換領域と、前記半導体基板上に設けられ、前記光電変換領域で発生した電荷を転送する電荷転送手段とを備え、前記光電変換領域が、前記半導体基板の表面内に形成された第2導電型の比較的高濃度の第1半導体層と、前記半導体基板の表面内で前記第1半導体層の周囲に形成された第2導電型の比較的低濃度の第2半導体層と、前記第2半導体層表面に形成された第1導電型の第3半導体層とを備えた固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A