特許

J-GLOBAL ID：200903039744238551

磁気抵抗センサの製造方法

発明者： ジャラルド サイドラー ,  スチュアート ソリン
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306776
公開番号（公開出願番号）：特開平9-185810
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗センサを信頼性をもって簡単に製造するための方法を提供すること。【解決手段】 磁気記憶ディスクに記憶されている磁気パターンを読取り・書込みするために用いられるセンサであり、磁気抵抗素子を封入した内側電極と外側電極からなるコルビーノ構造を用いている。このセンサは層を積み重ねてなる積層構造の前面に形成される。積層構造の第一の層21と第五の層25は高抵抗の半導体材料からなり、第二の層22と第四の層24は磁気抵抗材料からなり、第三の層23は金属もしくはその複合構造からなる。第二の層と第四の層は第三の層を囲むループを形成し、第一の層と第五の層は第二の層と第四の層を囲むループを形成する。ドーパントを積層構造の前面に拡散し、第一の層と第五の層の端面部分を低抵抗に変換し導電性ループを形成する。この導電性ループハコルビーノ円板の外側電極として機能し、第三の層は内側電極として機能する。

請求項（抜粋）：

基板の導電性表面上に高抵抗率の半導体材料の第一の層を形成し、前記第一の層の一部の上に、センサに用いるのに適した磁気抵抗効果を示す材料よりなる第二の層を形成し、前記第二の層の一部の上に導電性の高い第三の層を形成し、前記第三の層の上に、前記第二の層と同じ材料から成り、前記第二の層と組み合うことで前記第三の層の前端面部分を囲むループを形成する第四の層を形成し、前記第一の層と同じ材料からなり、前記第一の層と組み合うことで前記第二、前記第三、および前記第四の層の前端面部分を囲むループを形成する第五の層を形成し、前記第一および前記第五の層の前端面部分にドーパントを拡散させ、これにより前記第二および前記第四の層の抵抗率にほとんど影響を与えることなく前記第一および前記第五の層の拡散領域の導電率を高めて、前記第二および前記第四の層を囲む導電性のループをコルビーノ構造の外側電極として形成し、前記第三の層が前記コルビーノ構造の内側電極を形成することを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。