特許
J-GLOBAL ID：200903039744679582
pn接合型有機ダイオードとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086331
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289877
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 従来のシリコン系pn接合型ダイオードと同等のダイオード性能を持つpn接合型有機ダイオードを提供する。【解決手段】 p型層およびn型層を備えるpn接合型ダイオードであって、p型層がポリチオフェン系高分子膜等の有機材料からなり、n型層が電解析出された酸化チタン薄膜からなる。
請求項（抜粋）：
p型層およびn型層を備えるpn接合型ダイオードであって、p型層が有機材料からなり、n型層が酸化チタン薄膜からなることを特徴とするpn接合型有機ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/91 G
, H01L 29/28
