特許

J-GLOBAL ID：200903039747240530

酸化物半導体への電極形成方法

発明者： ウェイ ウェイ ,  永仮 尚謙
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-187873
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045552
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】n型酸化物半導体の表面に低抵抗で接触し、しかも高温で安定な電極を形成する方法を提供する。【構成】n型酸化物半導体の表面に電極を形成する方法であって、半導体の表面にAl、Ti、Nb、Mo,Mn,BiおよびAgから選ばれる少なくとも1種からなる第1金属層と、Au、PtおよびPdから選ばれる少なくとも1種からなる貴金属層を順次積層するか、あるいはその後、加熱して前記金属層と貴金属層を合金化することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

n型酸化物半導体の表面に電極を形成する方法であって、該半導体の表面にAl、Ti、Nb、Mo、Mn、Bi、CuおよびAgから選ばれる少なくとも1種からなる金属層と、Au、PtおよびPdから選ばれる少なくとも1種からなる貴金属層を順次積層することを特徴とする酸化物半導体への電極形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 29/46 B ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/46 G