窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121689
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319702
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】活性層とその後に積層する窒化物半導体層の成長温度に起因する活性層の劣化等の問題を解決し、発光特性などの素子特性の優れた窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】基体上に活性層を第1の成長温度(T3)で気相成長し、その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度(T4)を第1の成長温度(T3)から250°C高い温度以下とする。活性層中での例えばIn-Nのボンドが切断されることによる窒素空孔の発生やIn金属化などの問題が未然に防止され該活性層の結晶性を良好に保つことできる。

請求項（抜粋）：

基体上に活性層を第1の成長温度で気相成長し、その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度を前記第1の成長温度から250°C高い温度以下とすることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01S 5/343 610

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/343 610 , H01L 29/80 H

Fターム (29件)：

5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073EA28 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (14件)

半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-302069 出願人：ソニー株式会社
化合物半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-068051 出願人：住友電気工業株式会社
半導体製造装置および半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-106922 出願人：三菱化学株式会社

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