特許
J-GLOBAL ID：200903039751012623
フリップチップ実装構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 市郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025737
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229451
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】小型で、且つ半導体デバイスの接合ダメージを大幅に低減できるフリップチップ実装構造を提供する。【解決手段】基板1上に形成した接続用電極パッド3及び該電極パッド部を残して前記基板表面を被覆したパッシベーション膜4を備えたシリコンまたは化合物半導体からなる半導体基板1と、比較的大寸法の第1の金属バンプ6と該第1の金属バンプ上に形成した比較的小寸法の第2の金属バンプ7からなり、前記第1の金属バンプを前記電極パッド3に接続した接続用電極と、前記第2の金属バンプ7と接続するメタライズ端子面を備えた配線基板8と、前記半導体基板と前記配線基板の間隙に充填した樹脂層10を備え、前記第1及び第2の金属バンプにより接合ダメージを低減する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した接続用電極パッド及び該電極パッド部を残して前記基板表面を被覆したパッシベーション膜を備えたシリコンまたは化合物半導体からなる半導体基板と、比較的大寸法の第1の金属バンプと該第1の金属バンプ上に形成した比較的小寸法の第2の金属バンプからなり、前記第1の金属バンプを前記電極パッドに接続した接続用電極と、前記第2の金属バンプと接続するメタライズ端子面を備えた配線基板と、前記半導体基板と前記配線基板の間隙に充填した樹脂層からなることを特徴とするフリップチップ実装構造。
Fターム (6件)：
5F044KK02
, 5F044LL00
, 5F044QQ02
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
, 5F044RR18
