特許

J-GLOBAL ID：200903039755480559

ポリイミド多層配線基板およびその製造方法

発明者： 金原 広治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304755
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144973
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 ポリイミド多層配線基板を従来の逐次積層方式より短い製造時間で、、かつ、高い製造歩留まりで形成する。【構成】 セラミックまたは硬質有機樹脂基板上に形成するポリイミド多層配線層が、複数の配線層の積層構造をひとつのブロックとし、このブロックの複数個の積層構造であり、各々のブロック間の電気的接続は各ブロックの表面に形成された半田バンプのろう付けで行い、各々のブロック間の接着はガラス転移点を持つポリイミド樹脂の自己接着または溶融硬化型または溶融型接着剤を使用する。

請求項（抜粋）：

セラミック基板または硬質有機樹脂基板上にポリイミド多層配線層を有する多層配線基板において、ポリイミド多層配線層が、複数の配線層の積層体をひとつのブロックとし、このブロックの複数個の積層構造であり、各々のブロック間の電気的接続は各ブロックの積層体の表面上に形成された半田バンプ同士のろう付けであることを特徴とするポリイミド多層配線基板。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/312 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/46

FI (3件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/14 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-080896
  
• 特開昭61-080896
  
• 特開平4-348593
  
• 特開平3-060096