特許

J-GLOBAL ID：200903039756264671

真空バルブ用接点合金の製造方法

発明者： 奥冨 功 ,  関 経世 ,  山本 敦史 ,  大川 幹夫 ,  関口 薫旦 ,  馬島 淑子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164922
公開番号（公開出願番号）：特開平5-012965
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、再点弧発生頻度を著しく低減させることを目的とする。【構成】 原料Cr粉を粉砕して平均粒径1〜250μmのCr粉とする工程、Cr粉に略同粒径のカーボン粉を50〜5000ppm 添加したCr-C混合粉体を得る工程、Cr-C混合粉体からCr-C成形体を得る工程、Cr-C成形体を非酸化性雰囲気、温度800〜1400°Cで加熱処理し脱ガスCr塊を得る工程、脱ガスCr塊を粉砕して平均粒径5〜250μmの脱ガスCr粉とする工程、脱ガスCr粉20〜80重量%と残部Cu及び/又はAgとを混合、成形して固相焼結する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

下記の工程(a)〜(f)を含むことを特徴とする真空バルブ用接点合金の製造方法。(a)原料Crを粉砕して平均粒径1〜250μmのCr粉を得る工程、(b)前記Cr粉に略同粒径のカーボン粉を当該Cr量に対して50〜5000ppm 添加したCr-C混合粉体を得る工程、(c)前記Cr-C混合粉体を成形してCr-C成形体を得る工程、(d)前記Cr-C成形体を非酸化性雰囲気において800〜1400°Cの温度範囲で少なくとも1回加熱処理して脱ガスし脱ガスCr塊を得る工程、(e)前記脱ガスCr塊を粉砕して平均粒径5〜250μmの脱ガスCr粉を得る工程、(f)前記脱ガスCr粉20〜80重量%と、残部Cu及び/又はAgとを混合、成形して固相焼結する工程。

IPC (4件)：

H01H 33/66 ,  C22C 9/00 ,  C22C 27/06 ,  H01H 1/02