特許

J-GLOBAL ID：200903039757686200

レーザ加工装置、レーザ加工方法、およびレーザ加工された被加工物を有する物品の製造方法

発明者： 澤井 卓哉
出願人/特許権者： 株式会社 レーザックス
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269225
公開番号（公開出願番号）：特開2003-080389
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】【課題】 薄膜蒸着された半導体基板を被加工物とし、レーザにより薄膜を介して熱処理する場合などにおいて、光強度分布を均一化してレーザ加工を行う。【解決手段】 レーザビーム14を円筒面レンズ11に入射し、円筒面レンズ11で線状に集光して、線状集光ビーム15とする。また、回転動力機構13によりレンズホルダー12を回転させ、線状集光ビーム15を回転させる。このように、線状集光ビーム15を回転させることにより、光強度分布を均一化することができる。

請求項（抜粋）：

レーザビームを線状に集光して線状集光ビームとし、この線状集光ビームをその伝搬方向に平行な回転軸を中心に回転させ、この回転によって光強度分布が均一化されたビームを被加工物に照射するように構成されたレーザ加工装置。

IPC (2件)：

B23K 26/06 ,  G02B 26/02

FI (3件)：

B23K 26/06 E ,  B23K 26/06 C ,  G02B 26/02 C

Fターム (7件)：

2H041AA07 ,  2H041AB24 ,  2H041AC01 ,  2H041AZ02 ,  4E068CB05 ,  4E068CD03 ,  4E068CD05