特許

J-GLOBAL ID：200903039759655116

水素吸蔵炭素質材料の製造方法および水素吸蔵炭素質材料製造システム

発明者： 白石 誠司 ,  梶浦 尚志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大石 皓一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164263
公開番号（公開出願番号）：特開2001-348216
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】【課題】 大量の水素を、効率的に吸蔵させることが可能で、軽量で、繰り返し使用することができ、安全で、資源的、環境的な問題を生じさせる虞のない水素吸蔵炭素質材料の製造方法および水素吸蔵炭素質材料製造システムを提供する。【解決手段】 閉システム内で、炭素質材料を生成し、得られた炭素質材料に前処理を施し、水素を吸蔵させることを特徴とする水素吸蔵炭素質材料の製造方法および水素吸蔵炭素質材料製造システム。

請求項（抜粋）：

閉システム内で、炭素質材料を生成し、得られた炭素質材料に前処理を施し、水素を吸蔵させることを特徴とする水素吸蔵炭素質材料の製造方法。

IPC (5件)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ,  B82B 1/00 ,  C01B 3/00 ,  H01M 8/06

FI (5件)：

C01B 31/02 101 Z ,  C01B 31/02 101 F ,  B82B 1/00 ,  C01B 3/00 B ,  H01M 8/06 G

Fターム (7件)：

4G040AA12 ,  4G040AA42 ,  4G046CA00 ,  4G046CC02 ,  4G046CC09 ,  5H027AA02 ,  5H027BA13