特許
J-GLOBAL ID:200903039761335358

新規高分子錯体およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 友松 英爾 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-283577
公開番号(公開出願番号):特開2001-106782
出願日: 1999年10月04日
公開日(公表日): 2001年04月17日
要約:
【要約】【課題】 ?@新規高分子錯体の提供、?A有機エレクトロルミネッセント素子において、ホール輸送層の緩衝層に新規高分子錯体を用いて改良することにより、仕事関数を大きくしてホールの注入効率を上げ、駆動電圧を下げた有機エレクトロルミネッセント素子の提供。【解決手段】 (A)ポリアニリン類と(B)下記一般式(1)【化1】(式中、R1は水素またはメチル基、R2、R3、R4およびR5は水素およびアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Xは水素およびアルカリ金属よりなる群から選ばれたものである。)で示される繰り返し単位をもつポリスチレン系スルホン酸類とからなる高分子錯体およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子。
請求項(抜粋):
(A)ポリアニリン類と(B)下記一般式(1)【化1】(式中、R1は水素またはメチル基、R2、R3、R4およびR5は水素およびアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Xは水素およびアルカリ金属よりなる群から選ばれたものである。)で示される繰り返し単位をもつポリスチレン系スルホン酸類とからなる高分子錯体。
IPC (4件):
C08G 73/00 ,  C08L 79/00 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (4件):
C08G 73/00 ,  C08L 79/00 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 D
Fターム (26件):
3K007AB00 ,  3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007AB06 ,  3K007AB15 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4J002BC12X ,  4J002BJ00X ,  4J002CM01W ,  4J002GP00 ,  4J002GQ02 ,  4J043PA02 ,  4J043QB02 ,  4J043QC02 ,  4J043RA02 ,  4J043SA05 ,  4J043SB01 ,  4J043UA121 ,  4J043ZB21 ,  4J043ZB26 ,  4J043ZB47

前のページに戻る