特許

J-GLOBAL ID：200903039767486412

半導体装置及びその製造方法

発明者： 篠原 正英
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070109
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270735
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置上に形成されたポリイミド膜等の有機樹脂膜と、これを封止するモールド樹脂との間の密着性が向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、素子及び配線パターン14が形成された半導体基板11上にポリイミド膜16を形成し、封止樹脂を用いて樹脂封入した半導体装置において、ポリイミド膜16の表面の少なくとも一部に凹凸16bを形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

素子及び配線パターンが形成された半導体基板上に有機樹脂膜を形成し、封止樹脂を用いて樹脂封入した半導体装置において、前記有機樹脂膜の表面の少なくとも一部に凹凸を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/312 B ,  H01L 23/30 D

Fターム (12件)：

4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EC09 ,  4M109ED03 ,  5F058AC02 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG02 ,  5F058AG04 ,  5F058AH03