特許
J-GLOBAL ID：200903039777770917
圧電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035191
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232643
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 異種基板が直接接合された圧電素子の熱応力、残留応力による圧電素子の破損、特性劣化を防止し、良好な特性の圧電素子を提供する。【解決手段】 単結晶シリコン等からなる半導体基板2の略中央部に、キャビティ2aを形成する。キャビティ2aの上部に、水晶等からなる圧電基板1を配置し、その一端を直接接合によって半導体基板2に接続する。圧電基板1の上下面に励振用の電極5を形成する。圧電基板1を、保持部分3と振動部分4との境界付近において、幅方向の長さが圧電基板1の自由端に向かって徐々に小さくなるように加工する。
請求項（抜粋）：
保持基板と、前記保持基板とは異なる熱膨張率を有し、前記保持基板に保持された保持部分と励振用電極を含む振動部分とからなる圧電基板とを備えた圧電素子であって、前記圧電基板の前記保持部分が直接接合及び陽極接合からなる群から選ばれる1つの接合によって前記保持基板に保持されており、かつ、前記保持部分と前記振動部分との境界近傍において、前記振動部分の幅方向の長さが前記保持部分の幅方向の長さよりも小さく設定されていることを特徴とする圧電素子。
IPC (5件)：
H01L 41/09
, H01L 21/02
, H01L 41/22
, H03H 9/05
, H03H 9/17
H01L 41/08 C
, H01L 21/02 B
, H03H 9/05
, H03H 9/17 A
, H01L 41/22 Z
