特許
J-GLOBAL ID：200903039778073977
圧電体薄膜素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137892
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350154
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 圧電特性、強誘電体特性、焦電特性を向上することである。【構成】 <111>配向Pt膜が形成された基板上に、化学式がPb1+Y(ZrXTi1-X)O3+Yで、組成比が、0≦X<0.55、0≦Y≦0.5の範囲にあり、結晶構造が菱面体晶系のチタン酸ジルコン酸鉛膜であって、前記基板の主面垂直方向に対して、前記チタン酸ジルコン酸鉛膜の<111>配向度が70%以上である圧電体薄膜素子。または、<100>配向Pt膜が形成された基板上に、化学式がPb1+Y(ZrXTi1-X)O3+Yで、組成比が、0.55≦X<1、0≦Y≦0.5の範囲にあり、結晶構造が正方晶系のチタン酸ジルコン酸鉛膜であって、前記基板の主面垂直方向に対して、前記チタン酸ジルコン酸鉛膜の<001>配向度が70%以上である圧電体薄膜素子。
請求項（抜粋）：
金属膜が形成された基板上に、化学式がPb1+Y(ZrXTi1-X)O3+Yで、組成比が、0≦X<0.55、0≦Y≦0.5の範囲にあり、結晶構造が菱面体晶系のチタン酸ジルコン酸鉛膜であって、前記基板の主面垂直方向に対して、前記チタン酸ジルコン酸鉛膜の<111>配向度が70%以上であることを特徴とする圧電体薄膜素子。
IPC (4件)：
H01L 41/08
, C01G 25/00
, H01L 37/02
, G01J 1/02
