特許

J-GLOBAL ID：200903039787866734

窒化物半導体デバイス

発明者： 山下 浩司 ,  平野 光
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-085231
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269705
出願日： 2005年03月24日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】 高温環境下や紫外線環境下での使用においてダイボンディング不良を起こさない窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】 基板10上に窒化物半導体多層膜16が形成されチップ状にダイシングされた窒化物半導体素子2をパッケージ21内に収容し、窒化物半導体多層膜16上に形成された複数のボンディングパッド17,18とパッケージの対応するインナーリードを電気的に接続し、窒化物半導体素子2に対する電流または電圧を、全てボンディングパッド17,18を介して入力または出力可能に構成され、基板10の裏面側に金属膜19が蒸着され、金属膜19が3個以上のバンプ20を介してパッケージ21のダイパッド22に接着することにより、窒化物半導体素子2がダイパッド22にダイボンドされており、金属膜19、バンプ20、及び、ダイパッド22の接触面の夫々が使用環境温度の上限設定値より高い融点の高融点材料で形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体多層膜が形成されチップ状にダイシングされた窒化物半導体素子をパッケージ内に収容し、 前記窒化物半導体多層膜上に形成された複数のボンディングパッドと前記パッケージの対応するインナーリードを電気的に接続し、 前記窒化物半導体素子に対する電流または電圧を、全て前記ボンディングパッドを介して入力または出力可能に構成した窒化物半導体デバイスであって、 前記基板の裏面側に金属膜が蒸着され、前記金属膜が3個以上のバンプを介して前記パッケージのダイパッドに接着することにより、前記窒化物半導体素子が前記ダイパッドにダイボンドされており、 前記金属膜、前記バンプ、及び、前記ダイパッドの接触面の夫々が使用環境温度の上限設定値より高い融点の高融点材料で形成されていることを特徴とする窒化物半導体デバイス。

IPC (1件)：

H01L 31/02

FI (1件)：

H01L31/02 A

Fターム (9件)：

5F088AA03 ,  5F088AB07 ,  5F088BA11 ,  5F088BB10 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088JA03 ,  5F088JA10 ,  5F088LA05