特許
J-GLOBAL ID:200903039788379659

エキノカンジンアンモニウム塩結晶の形成およびアニオン交換

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-602260
公開番号(公開出願番号):特表2002-538165
出願日: 2000年03月02日
公開日(公表日): 2002年11月12日
要約:
【要約】本発明は、エキノカンジン核の塩結晶、特にエキノカンジンB核の塩結晶の形成およびアニオン交換プロセスに関する。混合ブロスおよび/または部分的に精製されたプロセスストリームから、エキノカンジン核塩結晶を形成するための方法が記載され、この方法は、濃縮物を形成するためのナノ濾過工程、アルデヒド不純物と相互作用するアルデヒド誘導体化剤の添加工程、可溶化した所望のアニオンを有するエキノカンジン核塩を形成するための、酸/金属塩の付加、およびこの塩を結晶化させるためのこの混合物の冷却工程による。
請求項(抜粋):
混合ブロスまたは部分的に精製したプロセスストリームからエキノカンジン核塩結晶を形成する方法であって、該方法は、以下の順序の工程: エキノカンジン核またはそのアモルファス塩、アルデヒド不純物および溶媒を含む溶液を提供する工程; 該溶液を、ナノ濾過プロセスによって濃縮し、濃縮物を形成する工程; 該アルデヒド不純物と選択的に相互作用する誘導体化剤を添加する工程; 該濃縮物のpHを、4.0未満に調整する工程; 酸または金属塩を添加する工程;および 該濃縮物を冷却する工程、を包含する、方法。
Fターム (8件):
4H045AA10 ,  4H045AA20 ,  4H045BA14 ,  4H045BA35 ,  4H045EA29 ,  4H045GA10 ,  4H045GA23 ,  4H045GA40
引用特許:
出願人引用 (1件)

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