特許

J-GLOBAL ID：200903039788494865

半導体装置

発明者： 有吉 剛
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-115620
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288044
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】半導体素子等にかかる熱応力を低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】略板状の形状を有する第1及び第2の配線材13,14を、電流制御用の縦型の半導体素子11の主電極11a,11bに直接接合し、半導体素子11、及び半導体素子11と配線材13,14との接合部分を封止樹脂12で封止する。配線材13,14は、低熱膨張導電材料、例えばCuMo、CuWなどによって形成される。半導体素子11の信号電極に、FPCを接合するようにしてもよい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

上下の面に第1及び第2の主電極が設けられ、その第1及び第2の主電極間を流れる電流を制御する縦型の半導体素子と、 低熱膨張導電材料により形成され、略板状の形状を有し、前記第1の主電極に接合される第1の配線材と、 低熱膨張導電材料により形成され、略板状の形状を有し、前記第2の主電極に接合される第2の配線材と、 前記半導体素子、前記第1の主電極と前記第1の配線材との接合部分、及び前記第2の主電極と前記第2の配線材との接合部分を包含して封止する封止樹脂と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/48 ,  H02M 7/48

FI (4件)：

H01L23/48 H ,  H01L23/48 L ,  H02M7/48 Z ,  H01L23/48 G

Fターム (7件)：

5H007AA06 ,  5H007CA01 ,  5H007CA02 ,  5H007CC07 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA05