マイクロデバイス並びにその製造方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206802
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035830
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】製造段階での素子の破損を防止して製造歩留まりを大幅に向上させることができるマイクロデバイスの製造方法及び装置を提供することである。【解決手段】半導体基板4のマイクロデバイス本体が形成される面3と反対側の面1から所定厚だけウェットエッチング処理を施して前記マイクロデバイス本体をメンブレン構造にするマイクロデバイス製造装置において、前記ウェットエッチング処理する部分を開口部5aとした耐エッチングマスク5bがパターン形成された半導体基板の前記開口部5aを含む一部領域にのみエッチング液34を供給するエッチング液供給手段31と、エッチング処理に供された処理済みエッチング液を前記エッチング液が供給された領域から除去するエッチング液除去手段41と、これらエッチング液供給手段31及びエッチング液除去手段41を制御する制御手段51とを備えたことを特徴とするマイクロデバイス製造装置である。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の面にマイクロデバイス本体を形成する工程と、前記半導体基板の他方の面から所定厚だけウェットエッチング処理を施して前記マイクロデバイス本体をメンブレン構造にするウェットエッチング工程とを備えたマイクロデバイスの製造方法において、前記ウェットエッチング工程は、前記半導体基板の他方の面に前記ウェットエッチング処理する部分を開口部とした耐エッチングマスクをパターン形成する工程と、この工程で形成された耐エッチングマスクの開口部を含む一部領域にのみエッチング液を供給する工程と、このエッチング処理に供された処理済みエッチング液を前記エッチング液が供給された領域から除去する工程とを備えたものであることを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。

Fターム (8件)：

5F043AA02 , 5F043BB01 , 5F043DD25 , 5F043EE07 , 5F043EE15 , 5F043EE29 , 5F043EE33 , 5F043FF10

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