特許
J-GLOBAL ID：200903039790595040
多層配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282237
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135184
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】下層の拡散層又は配線と上層の配線とを接続するコンタクト孔の位置ずれが生じてもこれらの配線の中間層に存在する導電膜との短絡を防止できるコンタクト孔を形成する。【構成】ゲート電極を兼ねるポリシリコン膜3とアルミナ膜4との積層構造を含む表面に酸化シリコン膜6を形成しフォトレジスト膜7をマスクとして酸化シリコン膜6およびゲート酸化膜2をプラズマエッチングしてコンタクト孔を形成すると同時進行でC,H,Fを含むプラズマによりコンタクト孔の側面にポリマ膜8を堆積することにより、コンタクト孔が位置ずれしてもポリシリコン膜3はポリマ膜8により被覆され上層のアルミニウム配線9とは短絡することがない。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けた拡散層又は下層の配線を含む表面に第1の絶縁膜を形成し前記第1の絶縁膜の上に導体膜および前記第1の絶縁膜と異なる材質の第2の絶縁膜を順次堆積してパターニングし前記導体膜および第2の絶縁膜からなる積層構造を形成する工程と、前記積層構造を含む表面に第3の絶縁膜を堆積する工程と、前記第3の絶縁膜上にフォトレジスト膜を塗布してパターニングしコンタクト孔形成用の開口部を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記第3および第1の絶縁膜を順次異方性プラズマエッチングしてコンタクト孔を形成すると同時進行で前記コンタクト孔の側壁にプラズマで生成されたポリマ膜を堆積させた絶縁膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を剥離した後前記コンタクト孔の前記拡散層又は下層の配線に接続する上層配線を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線の形成方法。
IPC (2件)：
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