特許

J-GLOBAL ID：200903039790646036

ドライエッチング装置

発明者： 下川 房男 ,  伊藤 正博 ,  内田 岱二郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-249304
公開番号（公開出願番号）：特開平9-087864
出願日： 1995年09月27日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：

【要約】【課題】 チャンバ内のプラズマ量を豊富にし、基板方向へ移動するプラズマ量を増加させて、エッチング処理を高速で行えるようにする。【解決手段】 磁気中性線放電プラズマ13の上方位置に電子遮蔽電極14を、磁気中性線放電プラズマ13と基板11との中間位置に電子遮蔽電極15を設け、電子遮蔽電極14および15に、プラズマ電位Vpに対して負バイアスとなる電位-Vbを印加する。これにより、チャンバ1内の空間を上下方向に飛来する電子は、電子遮蔽電極14および15の近傍において跳ね返され、磁気中性線放電プラズマ13の発生領域に向かって押し返され、導入ガスのイオン化促進に寄与する。

請求項（抜粋）：

誘電体からなるプラズマ生成用チャンバと、このプラズマ生成用チャンバの外周囲に配置された第1〜第3の磁場発生コイルと、この第1の磁場発生コイルと第3の磁場発生コイルとの中間に位置する第2の磁場発生コイルの内側かつ前記プラズマ生成用チャンバの外周囲に配置された高周波コイルとを備え、前記第1および第3の磁場発生コイルに同方向の電流を前記第2の磁場発生コイルに逆方向の電流を流し、前記高周波コイルに高周波を印加することにより導入ガスをイオン化し、前記プラズマ生成用チャンバ内に生成された磁気中性線放電プラズマが下方に配置されている基板方向に移動することにより、この基板に対してドライエッチング処理を行うドライエッチング装置において、前記磁気中性線放電プラズマの上方位置および前記磁気中性線放電プラズマと前記基板との中間位置にプラズマ電位に対して負バイアスとなる電位が印加された電子遮蔽電極が設けられていることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B