特許

J-GLOBAL ID：200903039795000100

固体撮像装置

発明者： 田中 長孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-381910
公開番号（公開出願番号）：特開2003-189185
出願日： 2001年12月14日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 DC歩留りが高く、且つフォトダイオードの残像特性バラツキが低い固体撮像装置を提供する。【解決手段】 信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、信号電荷を、ゲートに印加する電圧を制御することによって選択的に読み出す第1の読出し用トランジスタと、フォトダイオードと実質的に同じプロセスによって製造されたフォトダイオード抵抗素子を有し、フォトダイオード抵抗素子の空乏化電位を近似的に測定するモニター回路と、フォトダイオード抵抗素子の空乏化電位に基づいて、信号電荷の読出し時に第1の読出し用トランジスタのゲートに印加する電圧を生成する読出し電圧発生回路とを有する。

請求項（抜粋）：

信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、前記信号電荷を、ゲートに印加する電圧を制御することによって選択的に読み出す第1の読出し用トランジスタと、前記フォトダイオードと実質的に同じプロセスによって製造されたフォトダイオード抵抗素子を有し、当該フォトダイオード抵抗素子の空乏化電位を近似的に測定するモニター回路と、前記フォトダイオード抵抗素子の空乏化電位に基づいて、前記信号電荷の読出し時に前記第1の読出し用トランジスタのゲートに印加する電圧を生成する読出し電圧発生回路とを有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (3件)：

H04N 5/335 P ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A

Fターム (16件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118DB14 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5C024CX17 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX44 ,  5C024HX47 ,  5C024HX48