特許

J-GLOBAL ID：200903039797438820

磁気抵抗素子およびその製造方法

発明者： 鈴木 基史 ,  青木 裕子 ,  大脇 健史 ,  多賀 康訓
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104785
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299721
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 従来の磁気抵抗素子が持っていた抵抗変化率を大きくし、飽和磁界の値を小さくして、低磁場における高感度の磁気抵抗素子とすること。【構成】 Co3とCu4との各薄層を交互に複数層積み重ねて形成される積層体5と、積層体5を保持する基板1との間に、厚さが6Å〜28Åの範囲のFe層2を有する多層構造体を形成している磁気抵抗素子。基板1上に層厚が6Å〜28Åの範囲のFe層2を形成し、次いでFe層2の上面にCo3とCu4の各薄層を交互に複数層積み重ねて積層体5を形成した多層構造体を形成する積層工程と、多層構造体を熱処理する熱処理工程とからなる磁気抵抗素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

CoとCuとの各薄層を交互に複数層積み重ねて形成される積層体と、該積層体を保持する基板との間に、厚さが6Å〜28Åの範囲のFe層を有する多層構造体を形成していることを特徴とする磁気抵抗素子。