半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142504
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335242
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】本発明は、低温CVD法により形成された絶縁膜の改質方法を含む半導体装置の製造方法に関し、低温の熱的CVD法により形成された絶縁膜の膜質の改良を行うことができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】化学気相成長法により被形成体上に絶縁膜4を形成した後、該被形成体の温度を上げてアンモニア(NH3 )のプラズマガスに曝すことを含み構成する。

請求項（抜粋）：