特許
J-GLOBAL ID:200903039800726904
スイッチング素子
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-318432
公開番号(公開出願番号):特開平7-202139
出願日: 1994年12月21日
公開日(公表日): 1995年08月04日
要約:
【要約】【目的】 スイッチング状態をほぼ無期限に保持しうる半導電性誘電体を有するスイッチング素子を提供する。【構成】 スイッチング素子は2つの電極1,2と、これらの間の半導電性誘電体3とを有し、一方の電極2は半導電性誘電体3とでショットキ接点を形成する材料を有し、このショットキ接点の空間電荷領域3′は動作中電子に対するトンネリングバリヤを形成するようになっている。本発明によれば、誘電体3がトンネリングバリヤの大きさに影響を及ぼす残留分極を有する強誘電物質を具える。
請求項(抜粋):
2つの電極と、これら電極間の半導電性誘電体とを具えるスイッチング素子であって、一方の電極が半導電性誘電体とでショットキ接点を形成し、このショットキ接点の空間電荷領域が動作中電子に対するトンネリングバリヤを形成するスイッチング素子において、前記の誘電体が、トンネリングバリヤの大きさに影響を及ぼす残留分極を有する強誘電物質を具えていることを特徴とするスイッチング素子。
IPC (6件):
H01L 27/10 451
, H01L 29/872
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 49/00
FI (2件):
H01L 29/48 F
, H01L 29/78 371
前のページに戻る