特許

J-GLOBAL ID：200903039802758587

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 藤本 裕雅 ,  野呂 文彦 ,  楠見 昌隆
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274471
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086716
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置におけるトンネル絶縁膜にバーズビークが発生すること防止すると共に容量絶縁膜の膜質の向上と所定の膜厚とを得られるようにする。【解決手段】 急速熱酸化装置を用いて、温度が約900°C〜約1100°Cで、圧力が約1000Pa〜約2000Paのチャンバ内に、0.5%〜33%程度の水素を添加した酸素を直接に導入し、加熱した半導体基板11上で、導入された水素と酸素とから水蒸気を発生させる内燃方式のパイロジェニック酸化(ISSG)法により、フローティングゲート電極14Bの上面及び側面を酸化する。これにより、フローティングゲート電極14Bの表面に酸化シリコンからなる第2の絶縁膜15を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を介在して形成され、電気的に浮遊状態にあるフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極の上に第2の絶縁膜を介在して形成され、前記半導体基板及びフローティングゲート電極に所定の電位を供給するコントロールゲート電極とを備え、前記第1の絶縁膜は、前記フローティングゲート電極と対向する部分がほぼ均一な膜厚を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (23件)：

5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BE07 ,  5F058BF63 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP26 ,  5F083EP42 ,  5F083EP57 ,  5F083ER03 ,  5F083ER15 ,  5F083ER21 ,  5F083GA22 ,  5F083JA32 ,  5F083PR12 ,  5F083PR13 ,  5F101BA01 ,  5F101BB04 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BH03