特許

J-GLOBAL ID：200903039804730566

マイクロ圧電振動子、その製法及び圧電トランスデューサ

発明者： 安達 日出夫 ,  今橋 拓也
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071880
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274573
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】本発明は、厚み縦振動を用いた圧電振動子で電極が段差構造を持たず、不要振動がない機械的品質係数Qmを大きくすることを主要な目的とする。【構成】厚み縦振動の共振特性を用いたマイクロ圧電振動子において、表面に下部電極(3) を施した基板(1) と、前記下部電極(3) 上に形成され、その断面形状が台形状で厚み方向に分極処理された圧電厚膜素子(4) と、この圧電厚膜素子(4) の側壁を空隙部(5) を隔てて包囲するように形成するとともに前記基板に対し略平行な面を有して形成された絶縁層(6) と、前記圧電厚膜素子(4) の上面と前記絶縁層(6) の表面に一体的に配設された上部電極(7) を具備したことを特徴とするマイクロ圧電振動子。

請求項（抜粋）：

厚み縦振動の共振特性を用いたマイクロ圧電振動子において、表面に下部電極を施した基板と、前記下部電極上に形成され、その断面形状が台形状で厚み方向に分極状態にある圧電厚膜素子と、この圧電厚膜素子の側壁に対し空隙部を隔てて包囲するように形成するとともに前記基板に対し略平行な面を有して形成された絶縁層と、前記圧電厚膜素子の上面と前記絶縁層の表面に一体的に配設された上部電極を具備したことを特徴とするマイクロ圧電振動子。

IPC (4件)：

H03H 9/17 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02

FI (4件)：

H03H 9/17 H ,  H03H 3/02 C ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z